GaN（窒化ガリウム）を用いた新しい半導体の研究を進めている天野教授らは、5月22日（水）、研究成果に関する記者発表を行いました。

GaNを使った高性能な半導体を新たな手法で開発することに成功し、この半導体を使うことで、10％以上、消費電力を減らすことができると発表しました。企業などの研究開発向けの試作も受け付け始め、天野教授は「企業や大学で実用化に向けた研究開発を加速させたい」と話しました。

今回の記者発表資料は、近日中に次世代半導体研究開発事業ウェブサイトに掲載予定です。